Каталог товаров » Транзисторы и модули IGBT

Транзисторы и модули IGBT

Наименование Корпус Производитель Ед.изм Цена
Нет картинки [00057292]Транзистор IHW20N120R3 (H20R1203) MOS-N-IGBT+Di;TRENCHSTOP;1200V,40A/60A,1.48V,ns/387ns,310W;; Индукционный нагрев,микроволновые печи,резонансные преобразователи.TO-247 Kingdazzle Semшт 230 
Транзистор IXGH30N60AUI MOS-N-IGBT;HDMOS High speed IGBT;600V,50A/100A,3V,100ns/500ns,200W;; ИБП, AC,DC мотор драйвер,источники питания в резонансном режиме.Транзистор IXGH30N60AUI MOS-N-IGBT;HDMOS High speed IGBT;600V,50A/100A,3V,100ns/500ns,200W;; ИБП, AC,DC мотор драйвер,источники питания в резонансном режиме.TO-247 IXYS шт 631.9 
Нет картинки [00053139]Транзистор BT40T60ANFU MOS-N-IGBT+Di;Fieldstop IGBT;600V,80A/120A,1.9V,42ns/207ns,280W;Сварка,ИБП, Солнечные инверторыTO-247 Huajing M шт 300 
Нет картинки [00061339]Транзистор APT68GA60B MOS-N-IGBT;600V,121A,520WTO-247 Microsemi шт 1056.3 
Нет картинки [00066579]Транзистор AUIRGP4063D MOS-N-IGBT;600V,100ATO-247 International шт 840 
Нет картинки [13312]Транзистор FGA25N120ANTD MOS-N-IGBT+Di;NPT Trench,,;1200V,50A/90A,2V,60ns/100ns,312W,235ns ;Положительный темпер.коэфф.;Индукционный нагрев, микроволновая печьTO-3P FAIRCHILD шт 198 
Нет картинки [00057291]Транзистор FGA25N120ANTD MOS-N-IGBT+Di;NPT Trench,,;1200V,50A/90A,2V,60ns/100ns,312W,235ns ;Положительный темпер.коэфф.;Индукционный нагрев, микроволновая печьTO-3P Kingdazzle Semшт 210 
Нет картинки [00055631]Транзистор FGD4536 MOS-N-IGBT;PDP Trench,,;360V,/220A,1.19V,20ns/182ns,125W,;;Плазменные ТВ,бытовая техника.DPAK(TO252) FAIRCHILD шт 92.5 
Транзистор FGH40N60SFD MOS-N-IGBT+DI;Field Stop IGBT;600V,80A/120A,2.3V,25ns/115ns,290W,; Индукционный нагрев,ИБП,импульсные ИП,PFCТранзистор FGH40N60SFD MOS-N-IGBT+DI;Field Stop IGBT;600V,80A/120A,2.3V,25ns/115ns,290W,; Индукционный нагрев,ИБП,импульсные ИП,PFCTO-247 FAIRCHILD шт 345 
Транзистор FGH40N60UFD(TU) MOS-N-IGBT+DI;Field Stop,50-100kHz,Ultrafast;600V,80A/120A,1.8V,44ns/30ns,290W ,45ns;Солнечный инверторы, ИБП, сварка, PFC, микроволновая печи,телекомТранзистор FGH40N60UFD(TU) MOS-N-IGBT+DI;Field Stop,50-100kHz,Ultrafast;600V,80A/120A,1.8V,44ns/30ns,290W ,45ns;Солнечный инверторы, ИБП, сварка, PFC, микроволновая печи,телекомTO-247 FAIRCHILD шт 447 
Транзистор FGH60N60SFD MOS-N-IGBT;600V,60AТранзистор FGH60N60SFD MOS-N-IGBT;600V,60ATO-247 FAIRCHILD шт 600 
Транзистор FGH60N60SMD MOS-N-IGBT+DI;Field Stop,,2е покол.;600V,120A/180A,1.9V,47ns/50ns,600W, 30ns,; Солнечные инверторы,сварка,ИБП, PFC,Telecom,Транзистор FGH60N60SMD MOS-N-IGBT+DI;Field Stop,,2е покол.;600V,120A/180A,1.9V,47ns/50ns,600W, 30ns,; Солнечные инверторы,сварка,ИБП, PFC,Telecom,TO-247 FAIRCHILD шт 597.5 
Нет картинки [99991290]Транзистор FGL40N120AND MOS-N-IGBT+Di;NPT Trench,,;1200V,64A/120A,2.6V,20ns/40ns,500W,75ns;; Индукционный нагрев,мотор драйвер,ИБП, инверторыTO3PBL(TO-264) FAIRCHILD шт 665 
Транзистор FGPF4536 MOS-N-IGBT;PDP Trench,,;360V,/220A,1.19V,20ns/182ns,28,4W,;;Плазменные ТВ,бытовая техника,осветительные приборы.Транзистор FGPF4536 MOS-N-IGBT;PDP Trench,,;360V,/220A,1.19V,20ns/182ns,28,4W,;;Плазменные ТВ,бытовая техника,осветительные приборы.TO220F FAIRCHILD шт 163 
Нет картинки [00055028]Транзистор FGPF50N33BT MOS-N-IGBT;Trench IGBT;330V,50A/120A,1.2V,9ns/32ns,43W;; Плазменная панельTO220F FAIRCHILD шт 325 
Транзистор GT30F124 MOS-N-IGBT;300V,200AТранзистор GT30F124 MOS-N-IGBT;300V,200ATO220F TOSHIBA шт 98 
Транзистор GT30F131 MOS-N-IGBT;300V,200AТранзистор GT30F131 MOS-N-IGBT;300V,200AD2PAK(TO263) TOSHIBA шт 140 
Транзистор GT30F131 MOS-N-IGBT;300V,200AТранзистор GT30F131 MOS-N-IGBT;300V,200ATO220F TOSHIBA шт 75 
Транзистор GT30G122 MOS-N-IGBT+Di;400V,30AТранзистор GT30G122 MOS-N-IGBT+Di;400V,30ATO220F TOSHIBA шт 168.8 
Транзистор GT30J124 MOS-N-IGBT+Di;600V,30A,26WТранзистор GT30J124 MOS-N-IGBT+Di;600V,30A,26WTO220F TOSHIBA шт 195 
Транзистор GT35J321 MOS-N-IGBT+Di;600V,37A,75WТранзистор GT35J321 MOS-N-IGBT+Di;600V,37A,75WTO-3PF TOSHIBA шт 365 
Транзистор GT45G122 MOS-N-IGBT; 400V,45A,25WТранзистор GT45G122 MOS-N-IGBT; 400V,45A,25WTO220F шт 296.3 
Нет картинки [00030334]Транзистор GT50J325 TOSHIBA шт 393.8 
Транзистор GT50JR22 MOS-N-IGBT+Di;600V,50A,230WТранзистор GT50JR22 MOS-N-IGBT+Di;600V,50A,230WTO-3P TOSHIBA шт 182 
Нет картинки [99996461]Транзистор GT50N322 TOSHIBA шт 332 
Нет картинки [00059568]Транзистор GT50N322A MOS-N-IGBT+Di;1000V,50ATO-3P TOSHIBA шт 386.3 
Транзистор HGTG12N60A4 MOS-N-IGBT;SMPS Series;600V,54A/96A,2.0V,17ns/96ns,167W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питанияТранзистор HGTG12N60A4 MOS-N-IGBT;SMPS Series;600V,54A/96A,2.0V,17ns/96ns,167W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питанияTO-247 ON Semiconductшт 571.3 
Транзистор HGTG12N60A4D MOS-N-IGBT+Di;SMPS Series,(75kHz;600V,54A/96A,2.0V,17ns/96ns,167W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питанияТранзистор HGTG12N60A4D MOS-N-IGBT+Di;SMPS Series,(75kHz;600V,54A/96A,2.0V,17ns/96ns,167W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питанияTO-247 ON Semiconductшт 356.3 
Транзистор HGTG20N60A4D MOS-N-IGBT+Di;SMPS Series;600V,70A/280A,1.8V,15ns/73ns,290W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питанияТранзистор HGTG20N60A4D MOS-N-IGBT+Di;SMPS Series;600V,70A/280A,1.8V,15ns/73ns,290W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питанияTO-247 ON Semiconductшт 437.5 
Транзистор HGTG30N60A4 MOS-N-IGBT;SMPS Series;600V,75A/240A,1.8V,25ns/150ns,463W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питанияТранзистор HGTG30N60A4 MOS-N-IGBT;SMPS Series;600V,75A/240A,1.8V,25ns/150ns,463W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питанияTO-247 ON Semiconductшт 460 
Транзистор HGTG30N60A4D MOS-N-IGBT+Di;SMPS Series;600V,75A/240A,1.8V,25ns/150ns,463W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питанияТранзистор HGTG30N60A4D MOS-N-IGBT+Di;SMPS Series;600V,75A/240A,1.8V,25ns/150ns,463W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питанияTO-247 ON Semiconductшт 562.5 
Транзистор HGTG40N60A4 MOS-N-IGBT;SMPS Series;600V,75A/300A,1.7V,25ns/145ns,625W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питанияТранзистор HGTG40N60A4 MOS-N-IGBT;SMPS Series;600V,75A/300A,1.7V,25ns/145ns,625W, низкие потери проводимости; Высокочастотные импульсные источники питанияTO-247 ON Semiconductшт 475 
Транзистор IHW15N120R3(H15R1203) MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT3;1200V,30A/45A,1.48V,ns/46ns ,254W;;Индукционный нагрев, микроволновая печь, резонансные преобразователиТранзистор IHW15N120R3(H15R1203) MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT3;1200V,30A/45A,1.48V,ns/46ns ,254W;;Индукционный нагрев, микроволновая печь, резонансные преобразователиTO-247 Infineon шт 210 
Транзистор IHW15N120R3(H15R1203) MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT3;1200V,30A/45A,1.48V,ns/46ns ,254W;;Индукционный нагрев, микроволновая печь, резонансные преобразователиТранзистор IHW15N120R3(H15R1203) MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT3;1200V,30A/45A,1.48V,ns/46ns ,254W;;Индукционный нагрев, микроволновая печь, резонансные преобразователиTO-247 Infineon шт 375 
Транзистор IHW20N120R3(H20R1203) MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT3;1200V,40A/60A,1.48V,ns/25ns ,310W,;;Индукционный нагрев,микроволновые печи,резонансные преобр.Транзистор IHW20N120R3(H20R1203) MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT3;1200V,40A/60A,1.48V,ns/25ns ,310W,;;Индукционный нагрев,микроволновые печи,резонансные преобр.TO-247 Infineon шт 245 
Нет картинки [00047016]Транзистор IHW20N135R5(H20PR5) MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-H5;1350V,40A/60A,1.65V,ns/50ns ,288W ;;Индукционный нагрев(точный контроль),микроволновые печи,резонансные пTO-247 Infineon шт 350 
Транзистор IHW30N160R2(H30R1602) MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT2;1600V,60A/90A,1.8V,ns/38.3ns ,312W;;Индукционный нагрев,микроволновые печи,резонансные преобр.Транзистор IHW30N160R2(H30R1602) MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,8-60kHz Soft,RC-IGBT2;1600V,60A/90A,1.8V,ns/38.3ns ,312W;;Индукционный нагрев,микроволновые печи,резонансные преобр.TO-247 Infineon шт 470 
Нет картинки [00060766]Транзистор IKA10N60TXKSA1 MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,2-20kHz,IGBT3;600V,11.7A/30A,1.5V,8ns/35ns,30W,115ns ;;Инвертор,частотно-регулируемый привод,кондиционер,cтиральная машинTO-220-3 Infineon шт 243.8 
Транзистор IKW30N60H3(K30H603) MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,20-100kHz,IGBT3;600V,60A/120A,1.95V,33ns/22ns,187W ,38ns;;ИБП,сварочные преобразователи,ВЧ инверторыТранзистор IKW30N60H3(K30H603) MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,20-100kHz,IGBT3;600V,60A/120A,1.95V,33ns/22ns,187W ,38ns;;ИБП,сварочные преобразователи,ВЧ инверторыTO-247 Infineon шт 310 
Нет картинки [00057178]Транзистор IKW50N60H3(K50H603) MOS-N-IGBT+Di;TrenchStop,20-100kHz,IGBT3;600V,100A/200A,1.85V,37ns/24ns,333W ,130ns;;ИБП,сварочные преобразователи,ВЧ инверторыTO-247 Infineon шт 556.3 
Транзистор IRG4BC20UD MOS-N-IGBT+Di;L;600V,13A,60WТранзистор IRG4BC20UD MOS-N-IGBT+Di;L;600V,13A,60WTO-220 International шт 400 
Транзистор IRG4BC30FD MOS-N-IGBT+Di;L;600V,31A,100WТранзистор IRG4BC30FD MOS-N-IGBT+Di;L;600V,31A,100WD2PAK(TO263) International шт 176.3 
Транзистор IRG4PC30UD MOS-N-IGBT+Di;L;600V,23A,100WТранзистор IRG4PC30UD MOS-N-IGBT+Di;L;600V,23A,100WTO-247 International шт 357.5 
Транзистор IRG4PF50W MOS-N-IGBT;L;900V,51A,200WТранзистор IRG4PF50W MOS-N-IGBT;L;900V,51A,200WTO-247 International шт 515 
Транзистор IRG4PH40UD MOS-N-IGBT+Di;L;1200V,30A,160WТранзистор IRG4PH40UD MOS-N-IGBT+Di;L;1200V,30A,160WTO-247 International шт 611.3 
Транзистор IRG7IC28U MOS-N-IGBT;1200V,60AТранзистор IRG7IC28U MOS-N-IGBT;1200V,60ATO220F International шт 400 
Транзистор IRG7S313U MOS-N-IGBT;330V,40AТранзистор IRG7S313U MOS-N-IGBT;330V,40AD2PAK(TO263) International шт 235 
Транзистор IRGP4062D MOS-N-IGBT+Di;L;600V,24A,250W,Транзистор IRGP4062D MOS-N-IGBT+Di;L;600V,24A,250W,TO-247 International шт 391.3 
Транзистор  IRGP4068D MOS-N-IGBT+Di;L;600V,48A,170W,Транзистор IRGP4068D MOS-N-IGBT+Di;L;600V,48A,170W,TO-247 International шт 530 
Транзистор IRGP4086 MOS-N-IGBT;300V,250AТранзистор IRGP4086 MOS-N-IGBT;300V,250ATO-247 шт 481.3 
Транзистор IRGS14C40L MOS-N-IGBT;L,Voltage Clamped;400V,18AТранзистор IRGS14C40L MOS-N-IGBT;L,Voltage Clamped;400V,18AD2PAK(TO263) International шт 176.3 
Нет картинки [00061298]Транзистор IRGS8B60K MOS-N-IGBT; 600V,20A,167WD2PAK(TO263) International шт 170 
Нет картинки [00055972]Транзистор ISL9V3040S3S (V3040S) MOS-N-IGBT-e;V-MOS;430V,21A,0.022R,150WD2PAK(TO263) FAIRCHILD шт 175 
Транзистор NGD8201ANT4G MOS-N-IGBT;400V,20A,125WТранзистор NGD8201ANT4G MOS-N-IGBT;400V,20A,125WDPAK(TO252) ON Semiconductшт 230 
Транзистор RJH3044 MOS-N-IGBT+Di;Trench gate,,G6H;360V,30A/200A, 1.5V,80ns/150ns, 20W,23ns;Плазменные ТВ,дисплеи;Транзистор RJH3044 MOS-N-IGBT+Di;Trench gate,,G6H;360V,30A/200A, 1.5V,80ns/150ns, 20W,23ns;Плазменные ТВ,дисплеи;TO220F HITACHI шт 128.8 
Нет картинки [00053438]Транзистор RJH30A3DPK MOS-N-IGBT+Di;;360V,,,,,;снят с производства;Плазменные ТВ,дисплеи;TO-3P RENESAS шт 350 
Транзистор RJH60F5DPQ MOS-N-IGBT+Di;Trench gate,10-35kHz,G6H;600V,80A/160A,1.37V,145ns/85ns,260W ,90ns;;ИБП,сварка,солнечные инверторыТранзистор RJH60F5DPQ MOS-N-IGBT+Di;Trench gate,10-35kHz,G6H;600V,80A/160A,1.37V,145ns/85ns,260W ,90ns;;ИБП,сварка,солнечные инверторыTO-247 RENESAS шт 320 
Транзистор RJH60F7ADPK MOS-N-IGBT+Di;Trench gate,10-35kHz,G6H;600V,90A/180A,1.35V,81ns/74ns,328.9W ,140ns ;;ИБП,сварка,солнечные инверторыТранзистор RJH60F7ADPK MOS-N-IGBT+Di;Trench gate,10-35kHz,G6H;600V,90A/180A,1.35V,81ns/74ns,328.9W ,140ns ;;ИБП,сварка,солнечные инверторыTO-3P RENESAS шт 448.8 
Транзистор RJH60F7DPQ MOS-N-IGBT+Di;Trench gate,10-35kHz,G6H;600V,90A/180A,1.35V,81ns/74ns,328.9W ,90ns ;;ИБП,сварка,солнечные инверторыТранзистор RJH60F7DPQ MOS-N-IGBT+Di;Trench gate,10-35kHz,G6H;600V,90A/180A,1.35V,81ns/74ns,328.9W ,90ns ;;ИБП,сварка,солнечные инверторыTO-247 RENESAS шт 365 
Транзистор RJP30E4DPE MOS-N-IGBT;Trench gate,,G5H;360V,35A/200A,1.6V,120ns/150ns,30W,;;Плазменные ТВ,дисплеи;Транзистор RJP30E4DPE MOS-N-IGBT;Trench gate,,G5H;360V,35A/200A,1.6V,120ns/150ns,30W,;;Плазменные ТВ,дисплеи;D2PAK(TO263) RENESAS шт 200 
Транзистор RJP30H1DPD MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;360V,30A/200A,1.5V,80ns/150ns,50W,;;Плазменные ТВ,дисплеиТранзистор RJP30H1DPD MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;360V,30A/200A,1.5V,80ns/150ns,50W,;;Плазменные ТВ,дисплеиDPAK(TO252) RENESAS шт 88 
Транзистор RJP30H1DPP MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;360V,30A/200A,1.5V,80ns/150ns,20W,;снят с производства;Плазменные ТВ,дисплеиТранзистор RJP30H1DPP MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;360V,30A/200A,1.5V,80ns/150ns,20W,;снят с производства;Плазменные ТВ,дисплеиTO220F RENESAS шт 173.8 
Нет картинки [00065120]Транзистор RJP30H2A MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;360V,35A/250A,1.4V,100ns/180ns,60W,;;Плазменные ТВ,дисплеиD2PAK(TO263) HIT шт 125 
Транзистор RJP30H2ADPE MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;360V,35A/250A,1.4V,100ns/180ns,60W,;;Плазменные ТВ,дисплеиТранзистор RJP30H2ADPE MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;360V,35A/250A,1.4V,100ns/180ns,60W,;;Плазменные ТВ,дисплеиD2PAK(TO263) RENESAS шт 185 
Транзистор RJP30H2ADPP MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;360V,35A/250A,1.4V,100ns/180ns,20W,;;Плазменные ТВ,дисплеиТранзистор RJP30H2ADPP MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;360V,35A/250A,1.4V,100ns/180ns,20W,;;Плазменные ТВ,дисплеиTO220F RENESAS шт 95 
Транзистор RJP63G4DPE MOS-N-IGBT;;630V,40A/,,,,;;Плазменные ТВ,дисплеиТранзистор RJP63G4DPE MOS-N-IGBT;;630V,40A/,,,,;;Плазменные ТВ,дисплеиD2PAK(TO263) RENESAS шт 165 
Транзистор RJP63K2DPP MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;630V,35A/200A,1.9V,60ns/200ns,25W,;;Плазменные ТВ,дисплеи;Транзистор RJP63K2DPP MOS-N-IGBT;Trench gate,,G6H-2;630V,35A/200A,1.9V,60ns/200ns,25W,;;Плазменные ТВ,дисплеи;TO220F RENESAS шт 190 
Транзистор SGB15N60HS(G15N60HS) MOS-N-IGBT;Planar + NPT,40-80kHz,IGBT2;600V,27A/60A,2.8V,14ns/15ns,138W ;КЗ - 10 чs;Сварка, индукционный нагрев,ИБП,микроволновые печи,инверторы,SMPSТранзистор SGB15N60HS(G15N60HS) MOS-N-IGBT;Planar + NPT,40-80kHz,IGBT2;600V,27A/60A,2.8V,14ns/15ns,138W ;КЗ - 10 чs;Сварка, индукционный нагрев,ИБП,микроволновые печи,инверторы,SMPSD2PAK(TO263) шт 493.8 
Транзистор SGH80N60UFD MOS-N-IGBT+Di;600V,80AТранзистор SGH80N60UFD MOS-N-IGBT+Di;600V,80ATO-247 FAIRCHILD шт 488 
Нет картинки [7283]Транзистор SGL160N60UFDTU MOS-N-IGBT+Di; UFD series;600V,160A/300A,2.1V,40ns/90ns,250W,Высокая скорость переключения; AC/DC мотор контроль,инверторы, сервоприводы, ИП.TO-264 FAIRCHILD шт 932 
Транзистор SGW30N60HS(G30N60HS) MOS-N-IGBT;Planar + NPT,40-80kHz,IGBT2;600V,41A/112A,2.8V,21ns/25ns,250W ;КЗ - 10 чs;Сварка, индукционный нагрев,ИБП,микроволновые печи,инверторы,SMPSТранзистор SGW30N60HS(G30N60HS) MOS-N-IGBT;Planar + NPT,40-80kHz,IGBT2;600V,41A/112A,2.8V,21ns/25ns,250W ;КЗ - 10 чs;Сварка, индукционный нагрев,ИБП,микроволновые печи,инверторы,SMPSTO-247 шт 410 
Транзистор SGW50N60HS(G50N60HS) MOS-N-IGBT;Planar + NPT,40-80kHz,IGBT2;600V,100A/150A,2.8V,32ns/16ns,416W ;КЗ - 10 чs;Сварка, индукционный нагрев,ИБП,микроволновые печи,инверторы,SMPТранзистор SGW50N60HS(G50N60HS) MOS-N-IGBT;Planar + NPT,40-80kHz,IGBT2;600V,100A/150A,2.8V,32ns/16ns,416W ;КЗ - 10 чs;Сварка, индукционный нагрев,ИБП,микроволновые печи,инверторы,SMPTO-247 шт 556.3 
Транзистор SKP15N60(K15N60) MOS-N-IGBT+Di;Planar + NPT,20-40kHz,IGBT2;600V,31A/62A,2.0V,23ns/46ns,139W ,360ns,;КЗ-10 чs,;Сварка,индукционный нагрев,ИБП,микроволновые печи,инверт.Транзистор SKP15N60(K15N60) MOS-N-IGBT+Di;Planar + NPT,20-40kHz,IGBT2;600V,31A/62A,2.0V,23ns/46ns,139W ,360ns,;КЗ-10 чs,;Сварка,индукционный нагрев,ИБП,микроволновые печи,инверт.TO-220 шт 475 
Нет картинки [00036669]Транзистор SKW30N60HS(K30N60HS) MOS-N-IGBT+Di;Planar + NPT,40-80kHz,IGBT2;600V,41A/112A,2.8V,21ns/25ns,250W ,125ns;КЗ - 10 чs;Сварка,индукционный нагрев,ИБП,микров. печи,инвер.,SMPSTO-247 шт 606.3 
Транзистор STGB10NB37LZ MOS-N-IGBT;PowerMESH;Clamped400V,20A/60A,1.2V,270ns/1400ns,125W
;Ограничение высокого напряжения ;Автомобильное зажиганиеТранзистор STGB10NB37LZ MOS-N-IGBT;PowerMESH;Clamped400V,20A/60A,1.2V,270ns/1400ns,125W ;Ограничение высокого напряжения ;Автомобильное зажиганиеD2PAK(TO263) STMicroelectroшт 275 
Транзистор STGB18N40LZT4 MOS-N-IGBT;PowerMESH;Clamped390V,30A/40A,1.35V,3500ns/5500ns,150W 
;AEC-Q101,ограничение высокого напряжения ;Автомобильное зажиганиеТранзистор STGB18N40LZT4 MOS-N-IGBT;PowerMESH;Clamped390V,30A/40A,1.35V,3500ns/5500ns,150W ;AEC-Q101,ограничение высокого напряжения ;Автомобильное зажиганиеD2PAK(TO263) STMicroelectroшт 185 
Транзистор STGB20NB37LZ MOS-N-IGBT;PowerMESH;Clamped400V,40A/80A,1.1V,600ns/11500ns,200W
;Ограничение высокого напряжения ;Автомобильное зажиганиеТранзистор STGB20NB37LZ MOS-N-IGBT;PowerMESH;Clamped400V,40A/80A,1.1V,600ns/11500ns,200W ;Ограничение высокого напряжения ;Автомобильное зажиганиеD2PAK(TO263) STMicroelectroшт 310 
Транзистор STGD18N40LZ MOS-N-IGBT;PowerMESH;Clamped390V,25A/40A,1.35V,3500ns/5500ns,125W ;AEC-Q101,Ограничение высокого напряжения ;Автомобильное зажиганиеТранзистор STGD18N40LZ MOS-N-IGBT;PowerMESH;Clamped390V,25A/40A,1.35V,3500ns/5500ns,125W ;AEC-Q101,Ограничение высокого напряжения ;Автомобильное зажиганиеDPAK(TO252) STMicroelectroшт 178 
Транзистор STGD3NB60SD MOS-N-IGBT+Di;PowerMESH,(1kHz,S;600V,6A/25A,1.2V,150000ns/72ns,48W,1700nS
;НЧ приложения;Мотор драйвер, реле, газоразрядные лампыТранзистор STGD3NB60SD MOS-N-IGBT+Di;PowerMESH,(1kHz,S;600V,6A/25A,1.2V,150000ns/72ns,48W,1700nS ;НЧ приложения;Мотор драйвер, реле, газоразрядные лампыDPAK(TO252) STMicroelectroшт 48.2 
Транзистор STGF10NC60KD MOS-N-IGBT+Di;PowerMESH,,K;600V,9A/30A,2.2V,6ns/82ns,25W,22ns;КЗ-10 чs
;Управление высокочастотным двигателем,Моторные приводы,SMPS,PFCТранзистор STGF10NC60KD MOS-N-IGBT+Di;PowerMESH,,K;600V,9A/30A,2.2V,6ns/82ns,25W,22ns;КЗ-10 чs ;Управление высокочастотным двигателем,Моторные приводы,SMPS,PFCTO220F STMicroelectroшт 181.3 
Транзистор STGF19NC60KD MOS-N-IGBT+Di;PowerMESH,,K;600V,16A/75A,2.0V,8ns/85ns,32W,31ns ;КЗ -10 чs
;Высокочастотные  инверторы,мотор драйверТранзистор STGF19NC60KD MOS-N-IGBT+Di;PowerMESH,,K;600V,16A/75A,2.0V,8ns/85ns,32W,31ns ;КЗ -10 чs ;Высокочастотные инверторы,мотор драйверTO220F STMicroelectroшт 217.5 
Транзистор STGF20NB60S MOS-N-IGBT;PowerMESH,(1kHz,S;600V,24A/70A,1.25V,70ns/0.8ns,40W
;НЧ приложения;Мотор драйвер, реле, газоразрядные лампыТранзистор STGF20NB60S MOS-N-IGBT;PowerMESH,(1kHz,S;600V,24A/70A,1.25V,70ns/0.8ns,40W ;НЧ приложения;Мотор драйвер, реле, газоразрядные лампыTO220F STMicroelectroшт 110 
Транзистор STGF7NC60HD MOS-N-IGBT+Di;PowerMESH,(70kHz,H;600V,25A/50A,1.85V,8.5ns/60ns,25W,37ns;
;Высокочастотные инверторы,мотор драйвер,SMPS и PFC.Транзистор STGF7NC60HD MOS-N-IGBT+Di;PowerMESH,(70kHz,H;600V,25A/50A,1.85V,8.5ns/60ns,25W,37ns; ;Высокочастотные инверторы,мотор драйвер,SMPS и PFC.TO220F STMicroelectroшт 206.3 
Транзистор STGP10NC60KD MOS-N-IGBT+Di;PowerMESH,,K;600V,20A/30A,2.2V,6ns/82ns,65W,22ns;КЗ -10 чs
;Управление высокочастотным двигателем,Моторные приводы,SMPS,PFCТранзистор STGP10NC60KD MOS-N-IGBT+Di;PowerMESH,,K;600V,20A/30A,2.2V,6ns/82ns,65W,22ns;КЗ -10 чs ;Управление высокочастотным двигателем,Моторные приводы,SMPS,PFCTO-220 STMicroelectroшт 138 
Транзистор STGW20NC60VD MOS-N-IGBT+Di;PowerMESH,(50kHz,V;600V,60A/150A,1.8V,11ns/75ns,200W,44ns ;
;Высокочастотные инверторы, ИБП, Драйверы привода,SMPS,PFCТранзистор STGW20NC60VD MOS-N-IGBT+Di;PowerMESH,(50kHz,V;600V,60A/150A,1.8V,11ns/75ns,200W,44ns ; ;Высокочастотные инверторы, ИБП, Драйверы привода,SMPS,PFCTO-247 STMicroelectroшт 312.5 
Нет картинки [00045376]Транзистор STGW30V60DF MOS-N-IGBT+Di;Trench gate,50-100kHz,V;600V,60A/120A,1.85V,16ns/19ns,258W,53ns ;;Сварка,индукционный нагрев,ИБП,солнечные инверторы,PFC,SMPSTO-247 STMicroelectroшт 598 
Транзистор STGW39NC60VD MOS-N-IGBT+Di;PowerMESH,(50kHz,V;600V,80A/220A,1.8V,11ns/75ns,250W,44ns;
;Высокочастотные инверторы, ИБП, Драйверы привода,SMPS,PFCТранзистор STGW39NC60VD MOS-N-IGBT+Di;PowerMESH,(50kHz,V;600V,80A/220A,1.8V,11ns/75ns,250W,44ns; ;Высокочастотные инверторы, ИБП, Драйверы привода,SMPS,PFCTO-247 STMicroelectroшт 295 
Транзистор STGW40V60DF MOS-N-IGBT+Di;Trench gate,50-100kHz,V;600V,80A/160A,1.8V,17ns/20ns,283W,41ns ;
;Сварка,индукционный нагрев,ИБП,солнечные инверторы,PFC,SMPSТранзистор STGW40V60DF MOS-N-IGBT+Di;Trench gate,50-100kHz,V;600V,80A/160A,1.8V,17ns/20ns,283W,41ns ; ;Сварка,индукционный нагрев,ИБП,солнечные инверторы,PFC,SMPSTO-247 STMicroelectroшт 312.5 
Транзистор STGW45HF60WD MOS-N-IGBT+Di;Trench gate,50-100kHz,HF-W;600V,70A/150A,1.65V,12ns/50ns,250W ,55ns;;Сварка,Высокочастотные инверторы,PFC(компенсация реактивной мощн.)Транзистор STGW45HF60WD MOS-N-IGBT+Di;Trench gate,50-100kHz,HF-W;600V,70A/150A,1.65V,12ns/50ns,250W ,55ns;;Сварка,Высокочастотные инверторы,PFC(компенсация реактивной мощн.)TO-247 STMicroelectroшт 468.8 
Транзистор STGW60V60DF MOS-N-IGBT+Di;Trench gate,50-100kHz,V;600V,80A/240A,1.85V,20ns/14ns,375W,74ns ; ;Сварка,индукционный нагрев,ИБП,солнечные инверторы,PFC,SMPSТранзистор STGW60V60DF MOS-N-IGBT+Di;Trench gate,50-100kHz,V;600V,80A/240A,1.85V,20ns/14ns,375W,74ns ; ;Сварка,индукционный нагрев,ИБП,солнечные инверторы,PFC,SMPSTO-247 STMicroelectroшт 510 
В данной категории есть товары, которые в данный момент отсутсвуют на нашем складе. Вы можете посмотреть их здесь.

Оформление заказа
Для заказа нашей продукции заполните форму. После резервирования товара на указанную Вами почту поступит письмо с информацией о заказе и ссылкой на оплату.

При заказе с 9:00 до 18:00 письмо с информацией о заказе поступит в течении 1 часа.
При заказе с 18:00 до 08:30 письмо с информацией о заказе поступит до 10:00 часов.

Контактный телефон +7(8332) 21-40-40 (доб.220)

Фамилия:
Имя:
Отчество:
Ваш e-mail:
Номер телефона:
Ваш заказ:
Способ доставки:
Индекс:
Область, край:
Район, город, населенный пункт:
Улица:
Дом:
Квартира:
Улица:
Дом:
Подъезд:
Этаж:
Квартира:
Домофон:
Границы зоны доставки за 192 руб.
  • Доставка заказа осуществляется в течение 4 часов после его оплаты.
  • Заказы, оплаченные после 16:00, доставляются на следующий день до 13:00
Комментарий к заказу: